Fatimah Arofiati Noor
Dalam penelitian ini akan dilakukan pemodelan arus drain dalam Surrounding Gate Nano Wire Transistor (SGNW Transistor) berbasis GaN. Berdasarkan pemodelan yang kami kembangkan ini, SGNW transistor dengan karakteristik arus yang berkinerja baik dapat diperoleh. Dalam penelitian ini, kami mengembangkan pemodelan arus drain dimana rekayasa material kanal dilakukan yang berimplikasi pada meningkatnya kecepatan devais. Penelitian ini penting dilakukan karena memiliki nilai manfaat yang tinggi dalam teknologi transistor dimana SGNW transistor berkecepatan tinggi dapat diperoleh dengan pemodelan yang kami kembangkan.